烧结银胶|高导热芯片粘接胶及其应用

作为烧结银膏赛道拓荒者，善仁新材完整布局环氧导电银胶、半烧结银、低温无压全烧结银三条高导热芯片粘接技术路线，覆盖从中低功率通用封装到第三代半导体、AI算力、车规功率器件的高端Die Attach需求。区别于普通有机导热胶，善仁高导热芯片粘接胶同时兼顾导电+超高导热+机械粘接强度，解决高功率芯片热堆积、热阻过高、长期热循环失效痛点。

一、产品路线与核心型号、关键性能

1. 环氧高导热导电银胶（常规中功率封装）

代表型号：AS6585

热导率：26W/m·K

体系：无溶剂环氧，常温储存、常规烘箱固化

优势：高触变适配高速点胶，不溢胶；对银、金、铜、氧化铝基板附着力优异；低成本量产友好

适用：功率LED、普通IC、晶体管、小型传感器

2. 半烧结高导热芯片粘接银胶（车规中端功率）

代表型号：AS9330 / AS9331

热导率：较高100W/m·K

工艺：低温半烧结，无需高压设备

核心亮点：可直接粘接裸铜引线框架，剪切强度≥35MPa；适配1×1~8×8mm芯片；通过AEC-Q200温度循环

适用：车载MCU、QFN/QFP封装、车载激光雷达驱动芯片

3. 低温无压全烧结纳米银膏（高端超高导热，主力旗舰）

代表型号：AS9338（130℃超低温）、AS9376、AS9378

热导率区间：100~326 W/m·K，远超锡焊与环氧银胶

核心工艺：较低130℃无压烧结，无需昂贵加压设备，保护热敏芯片

力学性能：剪切强度35~50MPa，孔隙率＜2%

兼容基材：Au、Ag、Cu、DBC/AMB陶瓷基板

二、核心共性优势

导热导电一体化：传统绝缘导热胶只能散热无法导电；锡焊热导率上限低、高温易损伤芯片。善仁粘接胶同时实现电流导通与高效热导出，大幅降低芯片结温。

宽工艺兼容：支持高速点胶、丝网印刷、预成型片；烧结窗口宽泛，产线改造成本低。

严苛环境可靠性：-55℃~175℃千次温循稳定，抗热疲劳、抗湿热老化；无铅符合RoHS、车规认证路径完整。

低温友好：130℃无压烧结型号专门针对HBM、Chiplet、光通信激光芯片等不耐高温器件。

三、细分行业落地应用

1. 第三代半导体（SiC/GaN功率模块）：SiC车载OBC、DC-DC、光伏逆变器IGBT模块。使用AS9378系列烧结银粘接芯片与AMB基板，热阻显著降低，功率循环寿命提升近10倍。

2. 新能源汽车电子：车载雷达VCSEL、驱动MCU、车载快充功率器件。AS9331适配裸铜框架，解决车规长期高低温振动脱落问题。

3. 先进封装：HBM、Chiplet堆叠Die Attach。130℃低温AS9338避免高温损伤存储与逻辑芯片，高密度封装下维持低热阻。

4. 光通信/激光器件：800G/1.6T光模块激光芯片、红外探测器件。点胶型高导热银胶精准控制胶层厚度，抑制光器件因过热产生波长漂移。

5. 大功率光电显示：Mini/Micro LED、UV LED、工矿大功率照明LED。AS6585高速点胶适配大批量产，缓解LED光衰。

6. 射频与5G通信：基站PA、射频晶体管、微波器件。高导电低电阻率，降低射频损耗，同时快速导出射频发热。

四、与竞品差异化价值

市面普通环氧银胶导热普遍低于10W/m·K；进口烧结银多要求200℃以上高温或高压设备。善仁打通130℃无压烧结技术，兼顾超低工艺门槛与130W/m·K顶级导热。

同时配套全周期技术交付：前期芯片基材选型、烧结曲线调试、量产良率优化，现场工艺支持，完整支撑客户项目落地。

总之：在芯片功率密度持续攀升的行业趋势下，散热材料不再是辅助辅料。善仁高导热芯片粘接胶，从环氧银胶到低温烧结银完整覆盖功率梯度，以国产化自主纳米银填料技术，为先进封装、车规半导体等高门槛场景提供可靠的粘接散热一体化解决方案。